Pat
J-GLOBAL ID：200903018195412865
半導体発光素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松永 孝義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993001569
Publication number (International publication number)：1993343735
Application date： Jan. 08, 1993
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：
【要約】【目的】 安価で大面積な、アモルファス等の基板上に形成した半導体発光素子を提供する。【構成】 アモルファス、セラミック、多結晶あるいは単結晶の基板上に結晶成長法を用いて作製した大きなグレインサイズをもった多結晶内にpn接合、pin接合またはこれに類する接合を形成し、この接合に電流を注入して発光させる半導体発光素子。
Claim (excerpt)：
エピタルキシャル成長が起こらない材料からなる基板上に半導体材料としての多結晶体もしくは多結晶膜を形成し、前記多結晶体もしくは多結晶膜内に少なくともpn接合、pin接合またはこれに類する接合を有しており、p型半導体およびn型半導体にそれぞれ設けた電極の間に電流を流してpn接合、pin接合またはこれに類する接合で発光させることを特徴とする半導体発光素子。
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
