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J-GLOBAL ID：200903018199982720
CVD膜形成装置およびプラズマクリーニング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992183543
Publication number (International publication number)：1994025859
Application date： Jul. 10, 1992
Publication date： Feb. 01, 1994
Summary：
【要約】【目的】半導体装置の配線層間の絶縁膜または保護膜として用いられるプラズマCVD法による薄膜を形成し、かつプラズマクリーニングにより余分なCVD薄膜の除去を行うCVD薄膜形成装置において、電極の寿命の向上をはかると同時に、パーティクルや電極の劣化による膜質の変動なくし、半導体装置の歩留りと信頼性の向上を図る。【構成】CVD薄膜を形成する半導体基板107とは別に電極を保護する治具108を予備排気室104に具備する。半導体基板107を真空容器104に搬送し、CVD薄膜をデポジションする。真空容器104から半導体基板107を取り出し、代わりに電極保護用治具108を真空容器に搬送し、電極を保護した後、CF4/O2等のCVD膜をエッチングするガスを導入し、プラズマクリーニングにより反応容器内をエッチングする。
Claim (excerpt)：
反応室内にクリーニング用のガスを導入し、高周波(RF)を印加することによって反応室内の余分なCVD膜(化学的気相成長膜)を除去するCVD膜形成装置において、プラズマクリーニング時に電極を保護する治具を予備排気室に具備し、プラズマクリーニング時に電極を保護する機構を有することを特徴とするCVD膜形成装置。
IPC (3)：
C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/31
Cited by examiner (6)
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