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J-GLOBAL ID：200903018218913115

成膜装置

Inventor： 佐藤 薫
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993142715
Publication number (International publication number)：1994333854
Application date： May. 21, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 簡単な操作によってしかも確実に、処理室内の不必要な付着物や汚染物質等を除去し得る成膜装置を提供する。【構成】 半導体基板に表面被膜を形成するための成膜装置において、成膜処理を行うための処理室1内を、クリーニング用ガスによって洗浄する機構5〜9を備えている。特にクリーニング用ガスは、フッ化水素酸ガスが好適である。処理室1内にフッ化水素酸ガスを導入することにより、処理室1内に堆積した酸化珪素等の付着物15や金属汚染等の汚染物質が分解される。分解された汚染物質は、処理室1から排出され、これにより処理室1を装置から取り外すことなく、洗浄が行われる。【効果】 装置メンテナンスを格段に容易化し、更にこの装置により製造される半導体装置の信頼性を向上させることができると共に、製造歩留りやスループットを向上させることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板に表面被膜を形成するための成膜装置において、成膜処理を行うための処理室内を、クリーニング用ガスによって洗浄するための機構を備えていることを特徴とする成膜装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31