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J-GLOBAL ID：200903018219704870

単結晶育成装置及び単結晶育成方法

Inventor： 加納 学 ,  大谷 聡一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995206137
Publication number (International publication number)：1997052790
Application date： Aug. 11, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】 より長尺の単結晶を製造できる結晶育成装置及び育成方法を提供する。【解決手段】 結晶育成装置100は、るつぼ4から結晶10ヘ向かう輻射熱を遮る遮蔽体11を備えている。遮蔽体11は、成長した結晶10を囲繞する筒部11aと該筒部11aの上端に外向きに設けられた鍔部11bとからなり、鍔部11bの外縁は保温筒9の上端に固定されている。鍔部11bには、遮蔽体11により仕切られた空間A内の高温ガスを上方空間Bへ逃がす通気孔11cが設けられている。その通気孔11cにより遮蔽板11が高温にならず、またるつぼ4内に高温ガスも流れ込まず、成長結晶10内の温度勾配を大きくすることができる。筒部11aの長さLは、筒部11aの下端と封止剤3の表面との距離hが0mmよりも大きくかつ100mm以下となるような長さであるのが適当である。結晶育成中は、常に距離hを所定の範囲に保つようにする。【効果】 結晶内の温度勾配が小さくなるのを未然に防ぐことができ、より長尺の単結晶を育成できる。

Claim (excerpt)：

るつぼ内に入れた原料をヒータにより加熱して融解させ、その原料融液の上面に種結晶を接触させてこれを徐々に引き上げることにより単結晶を育成する単結晶育成装置において、前記るつぼの内面と成長結晶の側面との間に、該成長結晶を略囲繞して前記るつぼからの輻射熱により前記成長結晶が加熱されるのを防ぐ遮蔽体が、るつぼ内融液の表面から所定高さだけ上方に離れるように設けられており、該遮蔽体の上部には、該遮蔽体により仕切られてなる空間内の高温ガスを同遮蔽体よりも上方の空間に逃がす通気孔が設けられていることを特徴とする単結晶育成装置。

IPC (3)：

C30B 15/00 ,  C30B 27/02 ,  C30B 29/42

FI (3)：

C30B 15/00 Z ,  C30B 27/02 ,  C30B 29/42