固体撮像装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：四宮通
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997268149
Publication number (International publication number)：1999087684
Application date： Sep. 13, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】画素間のクロストークを低減させると同時に、画素を構成する素子に十分な給電を与える。【解決手段】高濃度のN型半導体基板100とこの上の低濃度のN型半導体層101からなる基体に形成されたJFETは、基板100及び半導体層101をこの順に経由してJFETのN型ドレイン領域16に給電されることにより、作動する。画素間に形成された分離領域110は、トレンチ111に埋め込まれたN型不純物を有するポリシリコン112と、その周囲のN型拡散層113とからなる。トレンチ111は、半導体層101に、その表面から、基板100の半導体層101側の表面に概略達する深さで形成される。

Claim (excerpt)：

高濃度の第1導電型半導体基板と該第1導電型半導体基板上に形成された低濃度の第1導電型半導体層とからなる基体を備え、該基体に複数の画素が形成され、前記各画素が、前記第1導電型半導体基板及び前記第1導電型半導体層をこの順に経由して給電されることにより作動する素子を含む固体撮像装置であって、前記基体には、前記各画素間において、トレンチが前記第1導電型半導体層の表面から形成され、前記第1導電型半導体基板と前記第1導電型半導体層における表面側領域との間の抵抗が低減するとともに、前記各画素間のクロストークが低減するように、前記トレンチに1種以上の材料が埋め込まれたことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3)：

H01L 27/146 , H01L 21/76 , H04N 5/335

FI (3)：

H01L 27/14 A , H04N 5/335 F , H01L 21/76 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-009968
特開昭60-229368
特開平4-091472

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