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J-GLOBAL ID:200903018249576583

半導体力学量センサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 伊藤 洋二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996007636
Publication number (International publication number):1997196967
Application date: Jan. 19, 1996
Publication date: Jul. 31, 1997
Summary:
【要約】【課題】 半導体加速度センサ等の力学量センサにおいて、オフセット電圧の調整をセンサチップ上で行う。【解決手段】 おもり部3を支えるビーム4〜7に形成したピエゾ抵抗8〜15の抵抗値変化により加速度を検出する半導体加速度センサにおいて、ピエゾ抵抗8〜15と選択的に接続されて、出力信号のオフセット調整を行う調整抵抗部16、17を、おもり部3に形成した。
Claim (excerpt):
応力を受けて変位するおもり部(3)と、おもり部を支えるビーム(4〜7)と、このビームに形成されビームの変位により抵抗値が変化するピエゾ抵抗部(8〜15)と、このピエゾ抵抗部を回路要素として前記ピエゾ抵抗部の抵抗値変化に基づく信号を出力する回路部(100)とがセンサチップ(1)に形成されてなる半導体力学量センサにおいて、前記ピエゾ抵抗部と電気的に接続されて前記回路部より出力される信号のオフセット調整を行う調整抵抗部(16、17)が前記センサチップに形成されていることを特徴とする半導体力学量センサ。
IPC (3):
G01P 15/12 ,  G01D 3/028 ,  G01P 21/00
FI (3):
G01P 15/12 ,  G01P 21/00 ,  G01D 3/04 Q

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