Pat

J-GLOBAL ID：200903018259654612

半導体装置の製造方法

Inventor： 鳥越 岳
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991304526
Publication number (International publication number)：1993144987
Application date： Nov. 20, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【目的】外部リード端子を外部電気回路基板の配線導体に確実、強固に接合させるのを可能として内部に収容する半導体素子を外部電気回路基板の配線導体に正確、且つ確実に電気的接続することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。【構成】外表面に外部リード端子5が取着された容器3の内部に半導体素子4を収容するとともに該半導体素子4の電極を前記外部リード端子5に電気的に接続した半導体装置を準備し、次に前記半導体装置の外部リード端子5表面に錫から成る金属層8を被着させ、そして次に前記外部リード端子5をプレス加工機Pにより折り曲げ加工し、最後に前記外部リード端子5の表面に半田9を溶着させる。滑りの良い錫から成る金属層によって外部リード端子5がプレス加工機に引っ掛かること無く、所定形状に容易に折り曲げ加工される。

Claim (excerpt)：

外表面に外部リード端子が取着された容器の内部に半導体素子を収容するとともに該半導体素子の電極を前記外部リード端子に電気的に接続した半導体装置を準備し、前記半導体装置の外部リード端子表面に錫から成る金属層を被着させ、次に前記外部リード端子をプレス加工法により折り曲げ加工し、最後に前記錫の金属層を被着させた外部リード端子の表面に半田を溶着させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-187654
  
• 特開昭63-310147