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J-GLOBAL ID：200903018280308600

基板型半導体式ガスセンサ及びガス検出器

Inventor： 鈴木 健吾
Applicant, Patent owner： 新コスモス電機株式会社
Agent (1)： 北村 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994048394
Publication number (International publication number)：1995260729
Application date： Mar. 18, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 検知対象の各種の匂いに対する感度を高めると共に、無臭のガスに対する感度を低下させることでS/N比を向上させ、より低濃度域での匂いの計測を正確に行えるガスセンサを得る。【構成】 基板上に酸化スズを主成分とする金属酸化物半導体膜層を備え、金属酸化物半導体膜層に電気的に接続された検出電極を備えた基板型半導体式ガスセンサにおいて、酸化スズの平均一次粒子径が35nmから70nmに形成され、金属酸化物半導体膜層の膜厚を10μmから50μmに形成され、金属酸化物半導体膜層に鉛(Pb)またはランタン(La)のいずれか一種以上が添加するとともに、種々の金属酸化物のコーティング層を表層に備える。

Claim (excerpt)：

基板(2)上に酸化スズを主成分とする金属酸化物半導体膜層(3)を備え、前記金属酸化物半導体膜層(3)に電気的に接続された検出電極(4)を備えた基板型半導体式ガスセンサであって、前記酸化スズの平均一次粒子径が35nmから70nmに形成され、前記金属酸化物半導体膜層(3)の膜厚を10μmから50μmに形成され、前記金属酸化物半導体膜層(3)に鉛(Pb)またはランタン(La)のいずれか一種以上が添加されている基板型半導体式ガスセンサ。