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J-GLOBAL ID：200903018286240986

マスクパターンの形成方法

Inventor： 平松 卓磨 ,  高橋 幸司
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998047218
Publication number (International publication number)：1998326746
Application date： Feb. 27, 1998
Publication date： Dec. 08, 1998
Summary：

【要約】【課題】 多光束干渉型露光において、多光束干渉露光に特有の光学系の揺らぎ等に起因するコントラスト不足によって、レジスト形状が矩形とならなかったり、周期的なフォトレジストパターンのデューティあるいはサイズを精密に制御することが難しいという問題があった。【解決手段】 本発明では、基板上に周期的に配列されたパターンを形成するためのマスクパターン形成方法において、前記基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、該フォトレジスト上にフォトブリーチ性を有する層を形成する工程と、コヒーレント光源からの光束を分岐し、干渉させて前記基板を露光する工程を有するマスクパターンの形成方法を採用することによって、レジスト形状及びパターンの制御性のよいマスクパターン形成方法を提供する。

Claim (excerpt)：

基板上に周期的に配列されたパターンを形成するためのマスクパターン形成方法において、前記基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、該フォトレジスト上にフォトブリーチ性を有する層を形成する工程と、コヒーレント光源からの光束を分岐し、干渉させて前記基板を露光する工程を有することを特徴とするマスクパターンの形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/095 501 ,  G02B 5/18

FI (3)：

H01L 21/30 575 ,  G03F 7/095 501 ,  G02B 5/18