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J-GLOBAL ID：200903018287520761

光デイスク基板の製造方法

Inventor： 有川 和彦 ,  川村 博章
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991290287
Publication number (International publication number)：1993128596
Application date： Nov. 07, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 反り変形の少ない、面振れ・チルト特性の良好な光ディスク基板を得るための最適な成形直後の冷却時間を求め、この最適な冷却時間で成形する光ディスク基板の製造方法を提供することにある。【構成】 ポリカーボネイト樹脂を用い、射出成形によって作った光ディスク基板の製造方法において、上記ポリカーボネイト樹脂が固化する成形直後までの冷却時間と成形後の反りとの関係から、上記基板を金型から取り出す冷却時間を求め上記冷却時間を定めて成形する第1工程と、前記第1工程により成形された上記基板にアニーリング処理を行なう第2工程とからなる。

Claim (excerpt)：

ポリカーボネイト樹脂を用い、射出成形によって作った光ディスク基板の製造方法において、上記ポリカーボネイト樹脂が固化する成形直後までの冷却時間と成形後の反りとの関係から、上記基板を金型から取り出す冷却時間を求め、上記冷却時間を定めて成形する第1工程と、前記第1工程により成形された上記基板にアニーリング処理を行なう第2工程とからなることを特徴とする光ディスク基板の製造方法。

IPC (5)：

G11B 7/26 521 ,  B29C 45/00 ,  B29C 71/02 ,  B29K 69:00 ,  B29L 17:00