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J-GLOBAL ID：200903018298551111

シリコン酸化膜を利用した微細パターン形成方法

Inventor：
朴 哉彦

About 朴 哉彦

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秋 岡秀

About 秋 岡秀

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李 周遠

About 李 周遠

, 
梁 鍾虎

About 梁 鍾虎


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (2)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003290758
Publication number (International publication number)：2004080033
Application date： Aug. 08, 2003
Publication date： Mar. 11, 2004
Summary：
【課題】 シリコン酸化膜を利用した微細パターン形成方法を提供する。【解決手段】 微細パターンを形成しようとする物質膜上にフォトレジストパターンを形成する。そして、その上にシリコン酸化膜を蒸着するが、下部のフォトレジストパターンに損傷を加えずにコンフォーマルに薄く形成しなければならない。次に、下部膜に対してドライエッチングを実施するが、初期にはフォトレジストパターンの側壁にスペーサを形成し、次にフォトレジストパターン上にポリマー膜を形成する。本発明によれば、フォトレジストパターンの薄型化現象を防止してエッチングプロファイルを維持でき、パターニングされた物質膜にストリエーションやウィグリングなどの現象が生じることが防止できる。【選択図】 図1B
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された物質膜をエッチングして微細パターンを形成する方法において、 前記物質膜上にフォトレジスト膜を形成する段階と、 前記フォトレジスト膜を露光及び現像してフォトレジストパターンを形成する段階と、 前記物質膜及びフォトレジストパターン上に前記フォトレジストパターンに損傷が生じないようにコンフォーマルに第1シリコン酸化膜を形成する段階と、 前記物質膜をドライエッチングして物質膜パターンを形成する段階と、を含むことを特徴とする微細パターン形成方法。
IPC (4)：
H01L21/3065 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3213
FI (4)：
H01L21/302 105A ,  G03F7/40 521 ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/88 D
F-Term (27)：
2H096AA25 ,  2H096HA23 ,  2H096HA30 ,  5F004AA02 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB15 ,  5F004EA01 ,  5F004EA06 ,  5F004EA12 ,  5F004EA37 ,  5F004EB02 ,  5F004FA08 ,  5F033HH04 ,  5F033HH25 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033VV16 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033XX03 ,  5F046LA18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 韓国特許出願第1998-0035832号公報(李ソンスら発明、三星電子株式会社出願)
  • 韓国特許出願第1998-0039712号公報(朴賛同ら発明、現代電子産業株式会社出願)
Cited by examiner (3)

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