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J-GLOBAL ID：200903018309438746

半導体装置

Inventor： 円藤 誠二 ,  佐々木 務
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991187323
Publication number (International publication number)：1993036694
Application date： Jul. 26, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、半導体装置に関し、バンプ電極から発生するα線やそれ以外のセラミックパッケージ等から発生してバンプ電極を通過するα線がアクティブ領域へ達するのを防ぐことができ、ソフトエラー等を生じ難くして素子特性を良好にすることができる半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 第1の導電性層2上に開口部3を有するアクティブ領域1及びα線遮蔽膜4が形成され、該開口部3を介して該第1の導電性層2とコンタクトするように、かつ該α線遮蔽膜4上に第2の導電性層5が形成され、該開口部3上に対応する領域以外の該第2の導電性層5上に導電性バンプ6が形成されてなるように構成する。

Claim (excerpt)：

第1の導電性層(2)上に開口部(3)を有するアクティブ領域(1)及びα線遮蔽膜(4)が形成され、該開口部(3)を介して該第1の導電性層(2)とコンタクトするように、かつ該α線遮蔽膜(4)上に第2の導電性層(5)が形成され、該開口部(3)上に対応する領域以外の該第2の導電性層(5)上に導電性バンプ(6)が形成されてなることを特徴とする半導体装置。