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J-GLOBAL ID:200903018310920942

ICチップの接続方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 早川 政名
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994283594
Publication number (International publication number):1996148493
Application date: Nov. 17, 1994
Publication date: Jun. 07, 1996
Summary:
【要約】【目的】Al電極上に別工程で皮膜形成を行う工程を省略しても、ICチップAl電極上の半田バンプをリフロー処理した後に過酷な環境下に晒されたAl電極の損傷を低減出来るICチップの接続方法を提供する。【構成】ICチップ4のAl電極5上に、半田ワイヤ2を用いて、Al電極5を露出させることなく半田バンプ6を形成した。半田バンプ6の接着面積S1 に対するAl電極の面積S2 の割合(S2 /S1 )は、0.1〜1.0とした。半田バンプ6にフラックスを塗布して270°Cの温度でリフロー処理を行い、Al電極5上の半田バンプ6を球状化処理し、ICチップ4と基板7を接合した。
Claim (excerpt):
ICチップのAl電極上に半田ワイヤを用いて半田バンプを形成する第1工程と、該半田バンプにフラックスを塗布してリフロー処理によりICチップと基板を接続する第2工程からなるICチップの接続方法において、第1工程で形成された半田バンプが前記Al電極を露出させることなく形成されていることを特徴とするICチップの接続方法。
IPC (2):
H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

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