Pat

J-GLOBAL ID：200903018311114192

半導体装置の製造方法

Inventor： 岡野 徳雄 ,  丹治 美香 ,  金田 愛三 ,  安田 雅昭
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 若林 邦彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998245970
Publication number (International publication number)：2000077469
Application date： Aug. 31, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】接続後のテストで不良と判明した半導体素子または接続に不良があった半導体素子を簡単にリペアでき、かつ接続信頼性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップを、チップ表面を配線板に向け、間に熱硬化性接続材料を介してプリント配線板に接続搭載してなる半導体装置の製造時に、まず電気的接続ができる程度に該熱硬化性接続材料の硬化度を低くおさえた条件で加圧及び加熱による仮接続を行い、次に半導体チップの電気的検査を行い、不良の半導体チップ及び接続不良の半導体チップを除去し該プリント配線板に付着した該熱硬化性接続材料を除去し、再び仮接続し、電気的検査を合格した半導体チップについては、該熱硬化性接続材料が十分に硬化する条件で加圧及び加熱による接続をする二段階接続法において、仮接続工程で加熱を終了した後も加圧を継続しながら冷却する。

Claim (excerpt)：

半導体チップを、チップ表面をプリント配線板に向けチップ表面とプリント配線板の間に熱硬化性接続材料を介してプリント配線板に接続搭載してなる半導体装置の製造方法であって、電気的検査ができる程度に該熱硬化性接続材料の硬化度を低くおさえた条件で加圧及び加熱による仮接続を行い、次に電気的検査を行い、不良の半導体チップ及び接続不良の半導体チップを除去し該プリント配線板に付着した該熱硬化性接続材料を除去し、再び仮接続し、電気的検査を合格した半導体チップについては、該熱硬化性接続材料が十分に硬化する条件で加圧及び加熱による本接続をする半導体装置の製造方法において、仮接続工程で加熱を終了した後も加圧を継続しながら冷却することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 321 ,  H01L 21/56

FI (3)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 321 Y ,  H01L 21/56 R

F-Term (7)：

4M105BB09 ,  4M105EE08 ,  4M105EE09 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA26 ,  5F061GA03