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J-GLOBAL ID:200903018323170306

半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004177821
Publication number (International publication number):2006001986
Application date: Jun. 16, 2004
Publication date: Jan. 05, 2006
Summary:
【課題】 配線幅の狭い半導体装置においても漏れ電流が発生し難い高誘電率特性を有し、かつ成形性も良好な半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤、及び(D)1〜10重量%の酸化ネオジムを含有するチタン酸バリウムを必須成分として含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、好ましくは前記酸化ネオジムを含有するチタン酸バリウムの含有量が、エポキシ樹脂組成物全体に対して75〜95重量%である半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Claim (excerpt):
(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤、及び(D)1〜10重量%の酸化ネオジムを含有するチタン酸バリウムを必須成分として含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
IPC (5):
C08L 63/00 ,  C08G 59/62 ,  C08K 3/24 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (4):
C08L63/00 C ,  C08G59/62 ,  C08K3/24 ,  H01L23/30 R
F-Term (31):
4J002CD041 ,  4J002CD051 ,  4J002CD061 ,  4J002CD071 ,  4J002CD201 ,  4J002DE186 ,  4J002EU117 ,  4J002EW137 ,  4J002EY017 ,  4J002FD157 ,  4J002FD206 ,  4J002GQ01 ,  4J036AA01 ,  4J036AD01 ,  4J036AF01 ,  4J036DC41 ,  4J036DC46 ,  4J036DD07 ,  4J036FA06 ,  4J036FB07 ,  4J036GA06 ,  4J036JA07 ,  4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EA02 ,  4M109EB03 ,  4M109EB04 ,  4M109EB18 ,  4M109EC07 ,  4M109EC20

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