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J-GLOBAL ID：200903018328057133

プラズマ処理方法及び装置

Inventor： 下妻 光夫 ,  中東 孝浩 ,  窪島 隆一郎
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996001196
Publication number (International publication number)：1997195052
Application date： Jan. 09, 1996
Publication date： Jul. 29, 1997
Summary：

【要約】【課題】所定真空状態下で処理用ガスにAC電力を印加してこのガスをプラズマ化し、このプラズマのもとで被処理物品に所定の処理を施すプラズマ処理方法及び装置であって、高速で、しかも良質の処理を行うことができるプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】平行平板型電極2、3 ́間に物品支持ホルダ91を配置し、ホルダ91に被処理物品Sを支持させ、所定真空状態のもとで平行平板型電極2、3 ́間に処理用ガスを導入するとともにこの電極間に交流電力を印加してこのガスをプラズマ化し、この交流電力を印加しつつホルダ91と平行平板型電極2、3 ́との間に直流バイアス電圧を周期的に印加し、このプラズマに被処理物品Sを曝して物品Sに目的とする処理を施すプラズマ処理方法及び装置。

Claim (excerpt)：

所定真空状態のもとで平行平板型電極間に処理用ガスを導入するとともに該電極間に交流電力を印加して該ガスをプラズマ化し、該プラズマに被処理物品を曝して該物品に目的とする処理を施すプラズマ処理方法において、前記平行平板型電極間に物品支持ホルダを配置し、該ホルダに被処理物品を支持させ、前記交流電力を印加しつつ該ホルダと前記平行平板型電極との間に直流バイアス電圧を周期的に印加して前記目的とする処理を施すことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (6)：

C23C 16/50 ,  C01B 21/076 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/304 341

FI (6)：

C23C 16/50 ,  C01B 21/076 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/304 341 D