Pat

J-GLOBAL ID：200903018328164282

光半導体装置の製造方法

Inventor： 末廣 一郎 ,  堀田 祐治 ,  貞瀬 直樹 ,  釜田 卓
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 細田 芳徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003406400
Publication number (International publication number)：2005167092
Application date： Dec. 04, 2003
Publication date： Jun. 23, 2005
Summary：

【課題】光半導体素子の樹脂封止を簡便に、かつ均一に行うことができる光半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】光半導体装置の製造方法であって、(1) 導体上に搭載した光半導体素子上に樹脂層を形成する工程、及び(2) 工程(1)で形成した樹脂層を加圧成型する工程を有する、光半導体装置の製造方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

光半導体装置の製造方法であって、 (1) 導体上に搭載した光半導体素子上に樹脂層を形成する工程、及び (2) 工程(1)で形成した樹脂層を加圧成型する工程 を有する、光半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L33/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

FI (5)：

H01L33/00 N ,  H01L21/56 E ,  H01L21/56 J ,  H01L23/28 D ,  H01L23/30 F

F-Term (21)：

4M109AA01 ,  4M109AA02 ,  4M109BA01 ,  4M109CA10 ,  4M109CA22 ,  4M109EC11 ,  4M109EE12 ,  4M109GA01 ,  5F041DA13 ,  5F041DA19 ,  5F041DA46 ,  5F041DA58 ,  5F041DA59 ,  5F061AA01 ,  5F061AA02 ,  5F061BA01 ,  5F061CA10 ,  5F061CA22 ,  5F061CB02 ,  5F061CB13 ,  5F061FA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体発光装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-221945   Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (7)

• 面発光レーザおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-333089   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 面実装型光半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-105189   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-009386   Applicant：松下電子工業株式会社
• 絶縁被覆材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-165441   Applicant：三井東圧化学株式会社
• 半導体素子封止用封止ラベル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-282311   Applicant：日東電工株式会社
• 高屈折率ポリカルボジイミド及びその製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-032929   Applicant：日東電工株式会社
• 表面実装型側面発光ダイオードおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-249550   Applicant：シャープ株式会社