Pat

J-GLOBAL ID：200903018336344419

縦型半導体装置

Inventor： 上杉 勉 ,  樹神 雅人
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 布施 行夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000050748
Publication number (International publication number)：2001244461
Application date： Feb. 28, 2000
Publication date： Sep. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】 縦型MOS電界効果トランジスタ1の高耐圧化を図ること。【解決手段】 縦型MOS電界効果トランジスタ1は、スーパージャンクション構造13を備えている。スーパージャンクション構造13とは、ドリフト領域において、第1導電型の半導体領域と第2導電型の半導体領域とが交互に、電流の流れる方向に対して垂直方向に並んだ構造のことである。絶縁領域35は、スーパージャンクション構造13の終端にあるシリコン単結晶領域(P-型シリコン単結晶領域15)の外側に位置している。絶縁領域35は、トレンチ33にシリコン酸化膜を埋め込むことにより形成される。

Claim (excerpt)：

ドリフト領域において、第1導電型の半導体領域と第2導電型の半導体領域とが交互に、電流の流れる方向に対して垂直方向に並んだ構造をし、前記構造により耐圧を保持する縦型半導体装置であって、絶縁領域を備え、前記絶縁領域は、前記構造の終端部に位置している、縦型半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653

FI (4)：

H01L 29/78 652 N ,  H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 653 A