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J-GLOBAL ID：200903018339833100

半導体装置又は半導体集積回路装置の製造方法又は露光方法及びそれに用いるマスク

Inventor： 水野 文夫 ,  森内 昇 ,  白井 精一郎 ,  森田 正行
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991170946
Publication number (International publication number)：1993019446
Application date： Jul. 11, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明の一つの目的は半導体装置または半導体集積回路装置の製造工程において、多様で、かつ、微細なパターンの露光を可能とする縮小投影露光方法を提供することにある。【構成】上記目的を達成するための本発明の構成は、一定のモードのマスクパターン領域の端部又は複数のモードのマスクパターン領域の境界部に所定の補正パターンを設けた位相シフトマスクを用いて縮小投影露光を行うものである。【効果】上記構成によれば、上記補正パターンによって端部効果等が相殺されるので、多様で、かつ、微細なパターンの露光を可能とすることができる。

Claim (excerpt)：

紫外又は遠紫外域のコヒーレント又は部分的にコヒーレントな一定の波長の単色露光光束を所定の拡大パターンが形成された一つのマスクに照射し、前記マスクを通過した光束を一定の開口数を有する縮小レンズ系により、その一つの主面上に感光性レジスト膜が形成された一つの被処理ウェハの前記レジスト膜上に上記マスク上の拡大パターンに対応する所望の縮小パターンが結像するように縮小投影することによって前記マスク上の拡大パターンに対応する縮小パターンを前記ウェハ上に転写する半導体装置又は半導体集積回路装置の製造方法又は露光方法において、前記マスクは以下の構成よりなる:(a)一定の幅を持ち少なくとも一方の側において孤立した線状パターンに対応する帯状の主開口部;(b)前記主開口部の前記一方の側に沿って、それと一定の間隔を置いて近接するように設けられたドット状又は破線状の前記主開口部とは反転した位相を有するそれ自体のパターンを形成しない複数の補助開口部。

IPC (3)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-141354
  
• 特開平3-071133
  
• 特開平2-140743
  
• 特開平4-206813