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J-GLOBAL ID：200903018340368284
密着イメ-ジセンサ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
熊谷 雄太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991178361
Publication number (International publication number)：1993030282
Application date： Jul. 18, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 原稿と透明耐摩耗層間に発生する静電気により、密着イメージセンサの絶縁基板上に形成された電気回路が、故障、破壊または誤動作することを防止する。【構成】 耐摩耗層10と光電変換素子5との間に透明絶縁層で両側をはさまれるように透明導電層8を積層して設ける。
Claim (excerpt)：
絶縁基板上に形成される複数個の光電変換素子と、該光電変換素子を含む前記絶縁基板上の原稿と接する最上層に耐摩耗層が積層される構造を有する密着イメージセンサにおいて、少なくとも前記耐摩耗層と、前記光電変換素子との間に透明絶縁層で両側を挟まれるように透明導電層を積層して具備したことを特徴とする密着イメージセンサ。
IPC (3)：
H04N 1/028
, H01L 23/00
, H01L 27/14
