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J-GLOBAL ID：200903018344627411

半導体集積回路装置の製造方法およびそれに用いる縦型熱処理装置

Inventor： 大坪 宏 ,  土山 洋史 ,  小坂 雄二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991288460
Publication number (International publication number)：1993129214
Application date： Nov. 05, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ウエハボートに搭載されたウエハが片持ち状態とならない縦型熱処理装置を提供する。【構成】 外径がウエハ8の直径よりも僅かに大きく、かつ内径がウエハ8の直径よりも僅かに小さい円筒部14にウエハ8を出し入れするための溝17を設け、この溝17を通じて円筒部14に挿入されたウエハ8の周辺部の大部分を円筒部14の断面で支持するように構成したウエハボート2を有する縦型熱処理装置である。

Claim (excerpt)：

外径が半導体ウエハの直径よりも僅かに大きく、かつ内径が前記半導体ウエハの直径よりも僅かに小さい円筒部に前記半導体ウエハを出し入れするための溝を設け、前記溝を通じて前記円筒部に挿入された前記半導体ウエハの周辺部の大部分を前記円筒部の断面で支持するように構成したウエハボートを有する縦型熱処理装置を用いて熱処理を行う工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-229932
  
• 特開昭63-217622