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J-GLOBAL ID：200903018345987616

半導体放射線検出装置及びその製造方法

Inventor： 庄司 辰美 ,  谷川 功 ,  田代 和昭 ,  田中 一郎 ,  川崎 敬一 ,  山▲崎▼ 達也
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995219310
Publication number (International publication number)：1997061536
Application date： Aug. 28, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 画素間のクロストークがなく、正確な画像が得られ、画素ピッチを細くして解像度を上げ、さらに蛍光体を厚くして高感度とした、大面積の放射線検出装置を実現する。【解決手段】 蛍光体を有する半導体放射線検出装置の製造方法において、前記半導体放射線検出装置の各画素2ごとに仕切りを有するメッシュ状仕切り板4と一体的に蛍光体層6を形成し、前記仕切り板の仕切り部分上の前記蛍光体を、前記仕切り部分の表層部とともに、レーザー光により溝状に除去することにより、前記蛍光体を前記各画素ごとに分離することを特徴とする半導体放射線検出装置の製造方法及びこれにより作成された半導体放射線検出装置。

Claim (excerpt)：

蛍光体を有する半導体放射線検出装置の製造方法において、前記半導体放射線検出装置の各画素ごとに仕切りを有するメッシュ状仕切り板と一体的に蛍光体層を形成し、前記仕切り板の仕切り部分上の前記蛍光体を、前記仕切り部分の表層部とともに、レーザー光により溝状に除去することにより、前記蛍光体を前記各画素ごとに分離することを特徴とする半導体放射線検出装置の製造方法。

IPC (3)：

G01T 1/20 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/09

FI (4)：

G01T 1/20 E ,  G01T 1/20 B ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 放射線検出素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-224307   Applicant：浜松ホトニクス株式会社
• 特表平7-500454