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J-GLOBAL ID：200903018360716190

半導体装置の製造方法

Inventor： 廣田 俊幸
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991279520
Publication number (International publication number)：1993121654
Application date： Oct. 25, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】容量絶縁膜の薄膜化を行うものである。【構成】アンモニア雰囲気中での急速加熱処理により、下部電極2と自然酸化膜7の間に熱窒化膜4を形成する。この後、エッチングにより自然酸化膜7を除去する。次に減圧CVDによりCVD窒化膜5を成長する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に多結晶シリコン膜からなる下部電極を形成する工程と、アンモニア雰囲気中で急速加熱し前記下部電極表面に第1の窒化シリコン膜を形成したのち表面の自然酸化膜をエッチングする工程と、CVD法により前記第1の窒化シリコン膜上に第2の窒化シリコン膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。