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J-GLOBAL ID：200903018364177927

整流回路および半導体集積回路並びにICカード

Inventor： 門川 滋 ,  保谷 和男 ,  安藤 公明
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
Agent (1)： 大日方 富雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997009396
Publication number (International publication number)：1998210751
Application date： Jan. 22, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ダイオード接続のMOSFETを使用した従来の整流回路にあっては、MOSダイオードがオンされている状態におけるゲート・ソース間電圧が1〜2Vと低いため、負荷電流が大きいときの整流効率を向上させるにはMOSダイオードのサイズを大きくしてオン抵抗を下げてやらなければならず、半導体集積回路化を図る上で不利であった。【解決手段】 ダイオードブリッジを構成する素子のうち少なくとも出力側の一対の素子をMOSFET(Q1,Q2)で構成するとともに電力の供給を受けるコイルの両端子(T1,T2)の内側に別途中間端子(TP1,TP2)を設け、その中間端子(TP1,TP2)を上記MOSFET(Q1,Q2)のドレインに接続しコイルの外側の両端子(T1,T2)を上記MOSFET(Q1,Q2)のゲートに接続するようにした。

Claim (excerpt)：

ダイオードブリッジを構成する素子のうち少なくとも出力側の一対の素子がMOSFETで構成され、これらのMOSFETの各ゲート端子に電力の供給を受けるコイルの両端子がそれぞれ接続され、上記MOSFETの各ドレイン端子に上記コイルの内側に設けられた一対の中間端子がそれぞれ接続されるように構成されてなることを特徴とする整流回路。

IPC (6)：

H02M 7/219 ,  G06K 17/00 ,  G06K 19/07 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H04B 5/00

FI (5)：

H02M 7/219 ,  G06K 17/00 F ,  H04B 5/00 Z ,  G06K 19/00 H ,  H01L 27/08 321 L