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J-GLOBAL ID:200903018372039266
軟磁性薄膜
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小池 晃 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991229761
Publication number (International publication number):1993047554
Application date: Aug. 16, 1991
Publication date: Feb. 26, 1993
Summary:
【要約】【目的】 高温での熱処理後にも低い保磁力を示し、しかも高飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜を提供する。【構成】 Fe-Ru-Ga-Si合金膜に、適量の窒素、酸素、炭素を導入し、結晶粒を微細化する。微細化された結晶粒径は、600Å以下である。また、窒素、酸素、炭素の導入量は、20原子%以下とする。
Claim (excerpt):
(Fea Rub Gac Sid )x Ny Oz Cw 〔ただし、a,b,c,d,x,y,z,wは各元素の割合(原子%)を表す。〕なる組成式で表され、その組成範囲が68≦a≦900.1≦b≦100.1≦c≦1510≦d≦2580≦x≦1000≦y≦200≦z≦200≦w≦20a+b+c+d=100x+y+z=100であるとともに、平均結晶粒径が600Å以下であることを特徴とする軟磁性薄膜。
IPC (3):
H01F 10/14
, H01F 1/14
, H01F 41/18
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開昭62-089312
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特開昭63-146417
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特開昭61-096510
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