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J-GLOBAL ID：200903018378333328

気相成長方法および装置

Inventor： 塩谷 喜美 ,  宮園 国博 ,  小山 堅二 ,  板坂 健治 ,  勝又 幸雄 ,  平野 吉男
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  株式会社九州富士通エレクトロニクス
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992139532
Publication number (International publication number)：1994020992
Application date： Jun. 01, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 気相成長に関し,ポリサイド膜のパターニングの際にマスクのエッチング残膜のないきれいなゲートまたは配線を形成できるようにして, デバイスの信頼性と製造歩留の向上に寄与することを目的とする。【構成】 1)CVD 法により, SiH4とWF6 の反応を 380°C以上で, Si2H6 とWF6の反応を 360°C以上で, SiH2Cl2 とWF6 の反応を 500°C以上で行い, 成長されたWSix の xを3.0以上にする, 2)ソースにフッ化物を含まないPVD 法で WSixを成長する,3)ウエハホルダ13と,これを内側にセットする内管11と, 内管の外側に設けられたガス排出用の外管12と, 内管内に設けられ, 各ウエハ間に吹き出し口を持つガス吹き出し管15とを有し, 該内管と該ウエハホルダ間で形成される空間がガス吹き出し管に対向する側においてその他の領域より広く形成されているように構成する。

Claim (excerpt)：

化学気相成長(CVD) 法により, SiH4とWF6 との反応を 380°C以上の温度で行い, あるいはSi2H6 とWF6 との反応を 360°C以上の温度で行い,あるいはSiH2Cl2 とWF6 との反応を 500°C以上の温度で行い, 成長されたタングステンシリサイド(WSix ) の組成 xを3.0以上にすることを特徴とする気相成長方法。

IPC (6)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 21/88 B ,  H01L 29/78 301 P