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J-GLOBAL ID：200903018390642158

フォトレジストパターンの形成方法

Inventor： 大澤 滋
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992225406
Publication number (International publication number)：1994077106
Application date： Aug. 25, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は上記電極形成のためのフォトレジストパターンの形成にあたり、電極の大きさを安定させるために一定の庇部をフォトレジストパターンに形成することを目的とする。【構成】 回路が形成された基板上にポジタイプのフォトレジスト膜を形成する工程、電極形成予定域を除く領域に適正露光量よりも少ない露光量で露光を施す工程、前記露光領域よりも一回り小さい領域に適正露光量以上の露光量の露光を施す工程、前記露光を施した部位のフォトレジスト膜をアンモニアまたはアミン系化合物を含む雰囲気中で、または単にベーキングを施し現像液に不溶にする工程、全面に露光を施して現像する工程を含み、前記フォトレジスト膜を逆テーパ、あるいは表面に庇を有する形状のパターンに形成するフォトレジストパターンの形成方法。

Claim (excerpt)：

回路が形成された基板上にポジタイプのフォトレジスト膜を形成する工程、電極形成予定域を除く領域に適正露光量よりも少ない露光量で露光を施す工程、前記露光領域よりも一回り小さい領域に適正露光量以上の露光量の露光を施す工程、前記露光を施した部位のフォトレジスト膜をアンモニアまたはアミン系化合物を含む雰囲気中で、または単にベーキングを施し現像液に不溶にする工程、全面に露光を施して現像する工程を含み、前記フォトレジスト膜を逆テーパ、あるいは表面に庇を有する形状のパターンに形成するフォトレジストパターンの形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/38 512

FI (2)：

H01L 21/30 301 C ,  H01L 21/30 361 Q