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J-GLOBAL ID：200903018392789318
固体撮像装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
土屋 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992235324
Publication number (International publication number)：1994061470
Application date： Aug. 11, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：
【要約】【目的】 転送可能な信号電荷量を多くし且つ暗電流の変動によるノイズを少なくして、優れた撮像特性を得る。【構成】 シリコン基板11上に順次に積層されたシリコン酸窒化膜15とシリコン窒化膜16とシリコン酸化膜17とから成る3層膜が、電荷転送部のゲート絶縁膜18になっている。ゲート絶縁膜18のうちでシリコン基板11との界面を構成している部分がシリコン酸窒化膜15であるので、シリコン酸化膜で界面を構成している場合に比べて、界面特性が良好で、表面準位密度の変動が少なく、暗電流の増加を抑制することができる。
Claim (excerpt)：
シリコン酸窒化膜上にシリコン窒化膜とシリコン酸化膜とが順次に積層されて成る3層膜が電荷転送部のゲート絶縁膜になっている固体撮像装置。
IPC (3)：
H01L 27/148
, H04N 5/335
, H01L 21/318
