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J-GLOBAL ID：200903018402548640

半導体記憶回路

Inventor： 西川 靖史
Applicant, Patent owner： 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992080197
Publication number (International publication number)：1993282867
Application date： Apr. 02, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】ライトパービット機能を有するランダムアクセスメモリのライトパービット判定回路2の素子数,信号線数,面積を少なくすること。【構成】ライトパービット機能を有するランダムアクセスメモリにおいて、ライトパービット判定回路2、データイン回路1,ライトバッファ回路3,データアンプ回路4より構成しており、書き込み禁止信号がデータイン回路1にのみ入力しており、書き込み禁止時にはデータイン回路1からの出力データを止めることにより、少ない素子及び信号線で回路構成することができる。

Claim (excerpt)：

複数のデータ入出力端子を持ち、ライトパービット機能を有するダイナミックランダムアクセスメモリを備えた半導体記憶回路において、前記ライトパービット時にデータ入力がライト禁止の状態の場合,データイン回路からデータバスラインへの出力を止めると共に、メモリセル内のデータをデータアンプにより前記データバスラインに出力させ、データをライトアンプにより再書き込みする手段を設けたことを特徴とする半導体記憶回路。