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J-GLOBAL ID：200903018403603416

ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法

Inventor： 野津 哲郎 ,  本郷 禎人 ,  杉山 亨 ,  栗山 保彦 ,  津田 邦男 ,  森塚 宏平
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998072308
Publication number (International publication number)：1999274168
Application date： Mar. 20, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、表面形態を劣化させずに、ベース層中の水素を脱離させる。【解決手段】p型ベース層14、n型エミッタ層15、n型GaAs層16、n型エミッタコンタクト層17を順次が積層された試料上に、WN膜18及び膜厚200nmのW膜19をスパッタ法によって順次形成する(図1(b))。そして、形成されたヘテロ接合バイポーラトランジスタ基板10を窒素雰囲気中で5分間675°Cの熱処理を行う。熱処理後、エミッタ領域を覆うSiO2 膜をマスクとして、W膜19/WN膜18をCF4 ,O2 ガスを用いたRIE法により除去して電極を形成する。(図1(c))。

Claim (excerpt)：

半絶縁性基板上に第1導電型の第1の半導体層、第2導電型のベース層及び第1導電型の第2の半導体層が積層されたヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法において、第2の半導体層上に高融点金属の珪化物又は窒化物を形成する工程と、前記高融点金属の珪化物又は窒化物上に、該高融点金属を形成する工程と、表面に前記高融点金属の珪化物又は窒化物,及び前記高融点金属が形成された第2の半導体層を少なくとも加熱する工程と、この加熱する工程の後に、前記高融点金属、並びに該高融点金属の珪化物又は窒化物をパターニングし、電極を形成する工程とを含むことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/26 ,  H01L 29/205

FI (3)：

H01L 29/72 ,  H01L 21/26 F ,  H01L 29/205