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J-GLOBAL ID：200903018421411656

低温焼結誘電体磁器の製造方法

Inventor： 野寄 佳成 ,  鈴木 靖生
Applicant, Patent owner： 富士電気化学株式会社
Agent (1)： 茂見 穰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995066979
Publication number (International publication number)：1996239263
Application date： Mar. 01, 1995
Publication date： Sep. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 内部電極材を含んだ構造の各種の誘電体部品を低温(内部電極材に損傷を与えない温度)で焼結でき、比誘電率の変動が少ないために調整が容易で、且つ高誘電率を呈する誘電体磁器を製造する。【構成】 仮焼済みのBaO-TiO2 -Nd2 O3 系の高誘電率材料に、ガラス材料を3〜20容積%添加し、粉体の平均粒径を0.1μm以下に調整して、880〜1000°Cで焼成して相対密度を95%以上にする。高誘電率材料は、主成分としてBaOが10〜16モル%、TiO2 が67〜72モル%、Nd2O3 が16〜18モル%の組成を有し、副成分としてBi2 O3 を7〜10重量%、Al2 O3 を0.3〜1.0重量%含有するものである。ガラス材料は、ZnOが45〜70重量%、B2 O3 が5〜13重量%、SiO2 が7〜40重量%、Al2 O3 が8〜20重量%の組成である。

Claim (excerpt)：

主成分としてBaOが10〜16モル%、TiO2 が67〜72モル%、Nd2 O3 が16〜18モル%の組成を有し、それに対し副成分としてBi2 O3 を7〜10重量%、Al2 O3 を0.3〜1.0重量%含有している仮焼済みのBaO-TiO2 -Nd2 O3 系の高誘電率材料に、ZnOが45〜70重量%、B2 O3 が5〜13重量%、SiO2 が7〜40重量%、Al2 O3 が8〜20重量%である組成の既にガラス化されている材料を、前記BaO-TiO2 -Nd2 O3 系の高誘電率材料に対して3〜20容積%添加し、粉体の平均粒径を0.1μm以下に調整して、880〜1000°Cで焼成し相対密度を95%以上にすることを特徴とする低温焼結誘電体磁器の製造方法。

IPC (3)：

C04B 35/46 ,  H01B 3/12 311 ,  H01P 7/10

FI (3)：

C04B 35/46 C ,  H01B 3/12 311 ,  H01P 7/10