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J-GLOBAL ID：200903018423623030

冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置

Inventor： 野田 真 ,  齋藤 一郎 ,  浦園 丈展
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001328906
Publication number (International publication number)：2002203473
Application date： Oct. 26, 2001
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】電子放出効率の高い電子放出部を均一、且つ、容易に形成可能な冷陰極電界電子放出素子を提供する。【解決手段】支持体10上に形成されたカソード電極11;支持体10及びカソード電極11上に形成された絶縁層12;絶縁層12上に形成されたゲート電極13;ゲート電極13及び絶縁層12に形成された開口部14;並びに、開口部14の底部に位置するカソード電極11上に形成された複数の電子放出部15A,15Bを有する冷陰極電界電子放出素子において、複数の電子放出部15A,15Bは、開口部14の中心部を中心とした同心の開口部相似図形上に配置され、各電子放出部15A,15Bの電子放出端部15a,15bの高さは、開口部14の中心部に近い位置に配置された電子放出部ほど高い。

Claim (excerpt)：

(A)支持体上に形成されたカソード電極、(B)支持体及びカソード電極上に形成された絶縁層、(C)絶縁層上に形成されたゲート電極、(D)ゲート電極及び絶縁層に形成された開口部、並びに、(E)開口部の底部に位置するカソード電極の部分の上に形成された複数の電子放出部、を有する冷陰極電界電子放出素子であって、複数の電子放出部は、開口部の中心部を中心とした同心の開口部相似図形上に配置され、各電子放出部の電子放出端部の高さは、開口部の中心部に近い位置に配置された電子放出部ほど高いことを特徴とする冷陰極電界電子放出素子。

IPC (3)：

H01J 1/304 ,  H01J 9/02 ,  H01J 31/12

FI (3)：

H01J 9/02 B ,  H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 F

F-Term (9)：

5C036EE02 ,  5C036EE04 ,  5C036EE14 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EH04 ,  5C036EH11