Pat

J-GLOBAL ID：200903018427435689

薄膜形成方法

Inventor： 飯田 義典 ,  古川 章彦 ,  山口 鉄也 ,  野崎 秀俊 ,  上村 孝明 ,  井原 久典
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991202076
Publication number (International publication number)：1993047673
Application date： Aug. 13, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 光化学反応薄膜形成方法に係わり、光学窓への膜堆積を完全に防止でき、μmオーダーの厚膜堆積を完全にロードロック方式で、不純物汚窓なく、かつ高スループットに実現できる光化学反応薄膜形成方法を提供する。【構成】 反応室内の圧力を0.2 [Torr]以上にし材料ガス、あるいはキャリアーガスにより希釈された材料ガスの総流量を0.4 [SLM]以上にする。さらに、光学窓近傍パージガス流量を4[SLM]以上にすることで材料ガスの光学窓近傍への供給は完全に防止される。本発明の方法によれば、スリット状のノズルにより層流化された材料ガスは光学窓近傍のパージガスと混合することなく基板上を通過するので、基板上に均一な膜堆積が可能であり、光学窓近傍へは材料ガスの供給が防止されるため光学窓への膜堆積は完全に防止される。

Claim (excerpt)：

薄膜形成のための反応室と、該反応室を真空排気する手段と、該反応室内に設置された基板を加熱する手段と、該反応室内に材料ガスを導入する手段と、該反応室に隣接する光源と、該反応室内に材料ガス分解のための光を導入する手段と、材料ガスを層流として導入するためのスリット状ノズルと、光導入窓近傍を前記材料ガス以外のガスでパージする手段と、該パージ用ガスのガス流を制御する手段を有する光化学反応薄膜形成装置において、前記パージ用ガスを4[SLM]以上導入し、前記材料ガスを0.4 [SLM]以上導入し、前記反応室内の圧力を0.2 [Torr]以上に保持する事を特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/48 ,  C30B 25/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-196542
  
• 特開昭61-208213