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J-GLOBAL ID：200903018428324813

薄膜の熱処理方法

Inventor： ダラム・パル・ゴサイン ,  鮫島 俊之 ,  原 昌輝 ,  佐野 直樹 ,  香野 淳 ,  碓井 節夫 ,  ジョナサン・ウエストウオーター
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993096957
Publication number (International publication number)：1994291034
Application date： Mar. 31, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 熱処理を効果的に行い、溶融再結晶化により結晶粒径が大きい多結晶の薄膜を形成する。【構成】 基板1上に例えばGe膜やMo膜から成る加熱層2を形成し、その上にバッファ層としてのSiO2 膜3を介してSi薄膜4を形成する。まず、Si薄膜4に対して透明でかつ加熱層2に対する吸収係数が大きい波長を有するレーザー光L1を照射した後、所定の遅延時間を持たせて、Si薄膜4によって吸収される波長を有するレーザー光L2を照射する。

Claim (excerpt)：

光照射により薄膜を熱処理するようにした薄膜の熱処理方法において、上記薄膜を加熱層上に積層した構造体を形成した後、上記薄膜に対して実質的に透明でかつ上記加熱層によって吸収される第1の波長を有する第1の光を上記構造体に照射し、次いで上記薄膜によって吸収される第2の波長を有する第2の光を上記構造体に照射するようにしたことを特徴とする薄膜の熱処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324