Pat
J-GLOBAL ID：200903018431510962
選択平坦化ポリッシング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992318904
Publication number (International publication number)：1994163489
Application date： Nov. 27, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：
【要約】【構成】 下地凸パターン3上に第1のポリッシング保護膜としてシリコン酸化膜4を形成した後、BPSG膜6および第2のポリッシング保護膜であるシリコン酸化膜5を形成する。ポリッシングにより、まず下地凸パターン3上のBPSG膜6表面にあるシリコン酸化膜5を除去し、それ以外のBPSG膜6表面にはシリコン酸化膜5を残す。BPSG膜6の相対ポリッシング速度がシリコン酸化膜よりも大きい性質を利用して、下地凸パターン3上のBPSG膜6を選択的にポリッシングし、完全に平坦化されると同時に下地凸パターン3上に予め形成しておいたシリコン酸化膜4が現れて、自動的にポリッシングが終了して完全平坦化された層間絶縁膜10が得られる。【効果】 層間絶縁膜の上下に存在するポリッシング保護膜により、層間絶縁膜凸部のみを選択的に除去する高速平坦化が可能となり、かつ自動的に平坦化ポリッシングが終了するため加工膜厚制御が容易である。
Claim (excerpt)：
複数の凸パターンのある下地半導体基板上に形成された凸部のある絶縁膜表面のすべてを、少なくとも前記絶縁膜よりもポリッシング速度が遅い材料からなるポリッシング保護薄膜で覆った後、ポリッシングを行なって前記凸部上のポリッシング保護薄膜を選択的に除去し、さらに引き続きポリッシングを行うことにより前記絶縁膜表面上の凸部を選択的に除去し、予め下地凸パターン表面に形成しておいたポリッシング保護膜が現れることによりポリッシング速度を自動的に低下させることを特徴とする選択平坦化ポリッシング方法。
IPC (3)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, H01L 21/76
