Pat
J-GLOBAL ID：200903018437703657
化合物半導体単結晶の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
並川 啓志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991329774
Publication number (International publication number)：1993139877
Application date： Nov. 19, 1991
Publication date： Jun. 08, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【構成】垂直ブリッジマン法あるいは垂直グラジエントフリ-ズ法により、種結晶を用いてCdTe単結晶を成長する方法において、種結晶を入れる小径部分と径が徐々に広がる部分と直胴部分とからなるるつぼを使用し、種付け後のるつぼ小径部分内での初期の成長速度を1mm/h以上として、最も成長速度の速い<111>方位を優先的に成長させる。【効果】単結晶の歩留まりを向上することができる。
Claim (excerpt)：
垂直ブリッジマン法あるいは垂直グラジエントフリーズ法により、種結晶を用いて化合物半導体単結晶を成長する方法において、種結晶を入れる小径部分と径が徐々に広がる部分と直胴部分とからなるるつぼを使用し、種付け後の上記小径部分内での初期の成長速度を1mm/h以上として、該化合物半導体の最も成長速度の速い結晶方位を優先的に成長させることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。
IPC (3)：
C30B 11/00
, C30B 29/46
, H01L 21/208
