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J-GLOBAL ID：200903018451397070
化合物半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐野 静夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991311828
Publication number (International publication number)：1993121455
Application date： Oct. 29, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：
【要約】【目的】ソ-ス抵抗を低減し、それによって雑音特性を改善したHEMT構造の化合物半導体装置を提供する。【構成】アンド-プ半導体層2と、前記アンド-プ半導体層2上に形成され該アンド-プ半導体層2よりも電子親和力が小さく且つ不純物がド-プされたド-プ半導体層3と、前記ド-プ半導体層3上に形成されたゲ-ト電極4と、前記ド-プ半導体層3上にそれぞれ形成されたソ-ス電極6及びドレイン電極7と、を有する化合物半導体装置において、前記ド-プ半導体層3と前記キャップ層5との間に前記ド-プ半導体層3や前記キャップ層5よりも電子親和力の大きなアンド-プの物質層9を形成している。
Claim (excerpt)：
アンド-プ半導体層と、前記アンド-プ半導体層上に形成され該アンド-プ半導体層よりも電子親和力が小さく且つ不純物がド-プされたド-プ半導体層と、前記ド-プ半導体層上に形成されたゲ-ト電極と、前記ド-プ半導体層上に形成されたキャップ層と、前記キャップ層上にそれぞれ形成されたソ-ス及びドレイン電極と、を有する化合物半導体装置において、前記ド-プ半導体層と前記キャップ層との間に前記ド-プ半導体層や前記キャップ層よりも電子親和力の大きなアンド-プの物質層を形成したことを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
