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J-GLOBAL ID:200903018451397070

化合物半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 佐野 静夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991311828
Publication number (International publication number):1993121455
Application date: Oct. 29, 1991
Publication date: May. 18, 1993
Summary:
【要約】【目的】ソ-ス抵抗を低減し、それによって雑音特性を改善したHEMT構造の化合物半導体装置を提供する。【構成】アンド-プ半導体層2と、前記アンド-プ半導体層2上に形成され該アンド-プ半導体層2よりも電子親和力が小さく且つ不純物がド-プされたド-プ半導体層3と、前記ド-プ半導体層3上に形成されたゲ-ト電極4と、前記ド-プ半導体層3上にそれぞれ形成されたソ-ス電極6及びドレイン電極7と、を有する化合物半導体装置において、前記ド-プ半導体層3と前記キャップ層5との間に前記ド-プ半導体層3や前記キャップ層5よりも電子親和力の大きなアンド-プの物質層9を形成している。
Claim (excerpt):
アンド-プ半導体層と、前記アンド-プ半導体層上に形成され該アンド-プ半導体層よりも電子親和力が小さく且つ不純物がド-プされたド-プ半導体層と、前記ド-プ半導体層上に形成されたゲ-ト電極と、前記ド-プ半導体層上に形成されたキャップ層と、前記キャップ層上にそれぞれ形成されたソ-ス及びドレイン電極と、を有する化合物半導体装置において、前記ド-プ半導体層と前記キャップ層との間に前記ド-プ半導体層や前記キャップ層よりも電子親和力の大きなアンド-プの物質層を形成したことを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (2):
H01L 21/338 ,  H01L 29/812

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