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J-GLOBAL ID：200903018479243109
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993202277
Publication number (International publication number)：1995058113
Application date： Aug. 16, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】この発明は、ピッチが狭く、微細な電極パッドを用いたものでも、インナ-リ-ドとの必要な接着強度が確保されたバンプを有する半導体装置を提供することを目的とする。【構成】シリコン基板11の表面上に電極パッド12を設け、この電極パッド12及びシリコン基板11の上にパッシベ-ション膜13を設ける。このパッシベ-ション膜13に前記電極パッド12の上に位置する開孔部13a を設ける。この開孔部13a の平面形状は、四角形の枠状のもの、即ち四角形の開孔の内側の一部にパッシベ-ション膜13を残した形状とされている。この開孔部13a の内およびパッシベ-ション膜13の上にバリアメタル14を蒸着させる。このバリアメタル14の上に、メッキによって金を成長させることにより、バンプ15を形成している。従って、バンプとインナ-リ-ドとの必要な接着強度を確保することができる。
Claim (excerpt)：
電極パッドの上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜に設けられ、前記電極パッドの上に位置する枠状の開孔部と、前記開孔部の内および前記絶縁膜の上に設けられたバリアメタルと、前記バリアメタルの上に設けられたバンプと、を具備することを特徴とする半導体装置。
FI (2)：
H01L 21/92 C
, H01L 21/92 F
