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J-GLOBAL ID：200903018490758250

半導体式アンモニアガスセンサ

Inventor： 三橋 弘和
Applicant, Patent owner： 新コスモス電機株式会社
Agent (1)： 北村 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991208374
Publication number (International publication number)：1993045318
Application date： Aug. 21, 1991
Publication date： Feb. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 アンモニアガスに対して感度が高いとともに、他のガスとの選択性に於いて優れた半導体式アンモニアガスセンサを得ること。【構成】 原子価制御された酸化スズ半導体に、バナジウム、鉛の夫々の酸化物を添加物として添加した金属酸化物半導体部3を備えて、これを構成する。

Claim (excerpt)：

原子価制御された酸化スズ半導体に、バナジウム、鉛の夫々の酸化物を添加物として添加した金属酸化物半導体部(3)を備えた半導体式アンモニアガスセンサ。