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J-GLOBAL ID：200903018494025711

単結晶シリコン薄膜形成方法及びその装置

Inventor： 佐藤 幸人 ,  大高 剛一
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー ,  リコー応用電子研究所株式会社
Agent (1)： 柏木 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992039254
Publication number (International publication number)：1993234885
Application date： Feb. 26, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 レーザ光の光強度が変動した場合、応答性に優れたフィードバック制御を可能とし、サブグレインダンバリーの少ない単結晶シリコン薄膜を安定して形成できるようにすること。【構成】 絶縁性材料15上に形成された多結晶シリコン薄膜又は非晶質シリコン薄膜にレーザ光11を照射して溶融・再結晶化させて単結晶シリコン薄膜を形成するようにした単結晶シリコン薄膜形成方法において、レーザ光11を光学部材12により反射光13と透過光14とに分割するとともに、この分割の割合を可変制御させることにより、所望の光強度とされたレーザ光なる透過光14を照射するようにした。

Claim (excerpt)：

絶縁性材料上に形成された多結晶シリコン薄膜又は非晶質シリコン薄膜にレーザ光を照射して溶融・再結晶化させて単結晶シリコン薄膜を形成するようにした単結晶シリコン薄膜形成方法において、前記レーザ光を光学部材により分割するとともに、この分割の割合を可変制御させて所望の光強度のレーザ光を照射するようにしたことを特徴とする単結晶シリコン薄膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268