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J-GLOBAL ID：200903018495490680

ポリジアセチレン誘導体薄膜の製造方法および偏光分離素子

Inventor： 林 賢一
Applicant, Patent owner： 株式会社三協精機製作所
Agent (1)： 横沢 志郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998362168
Publication number (International publication number)：2000185944
Application date： Dec. 21, 1998
Publication date： Jul. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】 光学的等方性基板の表面にポリジアセチレン誘導体膜からなる周期格子が形成された偏光分離素子の透過率を高めること。【解決手段】 光学的等方性基板10の光入射面101および光出射面のうちの少なくとも一方の面にジアセチレンモノマー11aを蒸着した後、ジアセチレンモノマー11aに紫外線を照射して青色相のポリジアセチレン誘導体からなる薄膜11を形成する。紫外線照射条件は、波長200〜300nmにおける照射エネルギーを100〜200mJ/cm2 とする。次に、処理温度140〜160°C、処理時間50〜70分間の条件で薄膜11を熱処理して、当該薄膜11を青色相から赤色相に色相変化させる。これらの照射条件および熱処理条件により、赤色相の薄膜11の透過率を高めることができる。よって、当該薄膜11に対して選択的に紫外線を照射して薄膜11上に周期格子を形成することにより製造される偏光分離素子の透過率を高めることができる。

Claim (excerpt)：

光学的等方性基板の光入射面および光出射面のうちの少なくとも一方の面にジアセチレンモノマーを蒸着し、当該ジアセチレンモノマーに紫外線を照射することにより当該ジアセンチレンモノマーを重合させてポリジアセチレン誘導体からなる薄膜を形成し、当該薄膜に熱処理を施すことにより青色相から赤色相に色相変化させる工程を含むポリジアセチレン誘導体薄膜の製造方法において、前記ジアセチレンモノマーを重合させる前記紫外線照射を、波長200〜300nmにおける照射エネルギーを100〜200mJ/cm2 として行い、前記薄膜を赤色相に変化させる熱処理を、処理温度140〜160°Cおよび処理時間50〜70分間の条件で行うことを特徴とするポリジアセチレン誘導体薄膜の製造方法。

IPC (3)：

C03C 17/34 ,  G02B 5/30 ,  G11B 11/10 551

FI (3)：

C03C 17/34 A ,  G02B 5/30 ,  G11B 11/10 551 D

F-Term (17)：

2H049BA05 ,  2H049BA17 ,  2H049BA45 ,  2H049BC02 ,  2H049BC04 ,  2H049BC05 ,  2H049BC08 ,  2H049BC09 ,  2H049BC21 ,  4G059AA11 ,  4G059AC09 ,  4G059FA07 ,  4G059FB01 ,  4G059GA01 ,  4G059GA04 ,  4G059GA11 ,  5D075CD16