Pat

J-GLOBAL ID：200903018499345145

誘電体素子

Inventor： 飯島 賢二 ,  上田 路人 ,  西川 孝司 ,  森田 清之
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000048822
Publication number (International publication number)：2001235715
Application date： Feb. 25, 2000
Publication date： Aug. 31, 2001
Summary：

【要約】【課題】 薄膜導波路型、バルク単結晶を用いた光学素子においては、誘電体の電気光学効果があまり大きくないため、光を長い導波路中を伝搬させなければならない。このため、光の強度が減衰してしまう、あるいは、駆動のために高電圧が必要となるという問題点が有った。【解決手段】 電極と電極上に形成された誘電体薄膜と誘電体薄膜上に形成された電極からなる誘電体素子において、誘電体膜が強誘電体膜であって、強誘電体の分極方向が互いに直交する複数の領域が交互に膜面内に配列した構造を有することを特徴とする誘電体素子を構成する。

Claim (excerpt)：

電極と電極上に形成された誘電体薄膜と誘電体薄膜上に形成された電極からなる誘電体素子において、誘電体膜が強誘電体膜であって、強誘電体の分極方向が互いに直交する複数の領域が交互に膜面内に配列した構造を有することを特徴とする誘電体素子。

IPC (2)：

G02F 1/055 505 ,  G02F 1/03 505

FI (2)：

G02F 1/055 505 ,  G02F 1/03 505

F-Term (9)：

2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA05 ,  2H079DA03 ,  2H079DA04 ,  2H079DA22 ,  2H079EA02 ,  2H079EB04