Pat

J-GLOBAL ID：200903018501680941

有機シリコン高分子及びその製造方法

Inventor： 藤木 道也
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中本 宏 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991203608
Publication number (International publication number)：1993025282
Application date： Jul. 19, 1991
Publication date： Feb. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 フォトレジスト、光導波路材料、シリコンカーバイドの前駆体、半導体、電子写真感光体、非線型光学材料、発光材料として期待されるポリメチルフェニルシランを母体とした有機シリコン高分子を提供する。【構成】 重量平均分子量2000以上(ゲルパーミエーションクロマトグラフ法、単分散ポリスチレンを基準)、29Si-FTNMR(クロロホルム溶液中、テトラメチルシラン基準)で約-60から-80あるいは-42から-50あるいは-30から-35ppm付近に、ポリメチルフェニルシランに特徴的な-40ppm以外のピークを持つポリメチルフェニルシラン構造を含む有機シリコン高分子。メチルフェニルジクロロシランとフェニルトリクロロシランとをNaの存在下で縮合させる有機シリコン高分子の製造方法。

Claim (excerpt)：

ポリメチルフェニルシラン構造を含む有機シリコン高分子において、単分散ポリスチレンを基準にしたゲルパーミエーションクロマトグラフ法により求めた方法で重量平均分子量の値が2000以上で、かつ29Si-FTNMR(クロロホルム溶液中、テトラメチルシラン基準)で-60から-80あるいは-42から-50あるいは-30から-35ppm付近に、ポリメチルフェニルシランに特徴的な-40ppm以外のピークを持つことを特徴とする有機シリコン高分子。

IPC (5)：

C08G 77/60 NUM ,  G02F 1/35 504 ,  G03F 7/075 511 ,  G03G 5/07 ,  H01L 21/027