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J-GLOBAL ID：200903018505562056

非特異的吸着防止方法、該方法を用いたバイオアッセイ用基板の製造方法、相互作用の検出方法、並びに、試薬キット。

Inventor： 根岸 真紀子 ,  瀬川 雄司 ,  飯田 朋子 ,  勝本 洋一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 渡邊 薫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004191185
Publication number (International publication number)：2006010621
Application date： Jun. 29, 2004
Publication date： Jan. 12, 2006
Summary：

【課題】 物質間の相互作用の場を提供する反応領域内の正に帯電した固相表面に対する、核酸など負電荷を持つ物質、インターカレーターの非特異的吸着を防止する方法を提供すること。バイオアッセイ用基板製造方法及び相互作用検出方法を提供すること。 【解決手段】 物質間の相互作用の場を提供する反応領域内に貯留又は保持される緩衝液の塩濃度を調整することによって、反応領域内の正に帯電した固相表面に対する負電荷を持つ物質の非特異的吸着を防止する方法を提供する。緩衝液の塩濃度を調整することによって、検出用物質、標的物質、インターカレーターなどの非特異的吸着を防止できる。この方法は、DNAチップなどのバイオアッセイ用基板製造の際や、ハイブリダイゼーションなど、物質間の相互作用検出の際にも用いることができる。 【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

検出用物質と標的物質との間の相互作用の場を提供する反応領域内に貯留又は保持される緩衝液の塩濃度を調整することによって、正に帯電した固相表面に対する負電荷を持つ物質の非特異的吸着を防止する方法。

IPC (5)：

G01N 33/531 ,  C12Q 1/68 ,  G01N 33/53 ,  G01N 33/543 ,  C12N 15/09

FI (6)：

G01N33/531 B ,  C12Q1/68 A ,  G01N33/53 M ,  G01N33/53 U ,  G01N33/543 501J ,  C12N15/00 A

F-Term (15)：

4B024AA11 ,  4B024CA01 ,  4B024CA09 ,  4B024HA14 ,  4B063QA01 ,  4B063QA20 ,  4B063QQ42 ,  4B063QR32 ,  4B063QR50 ,  4B063QR56 ,  4B063QR66 ,  4B063QR90 ,  4B063QS34 ,  4B063QS36 ,  4B063QX02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 蛍光検出におけるバックグラウンドの低減方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-052740   Applicant：富士写真フイルム株式会社