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J-GLOBAL ID：200903018517275800
半導体の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994298199
Publication number (International publication number)：1996162413
Application date： Dec. 01, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：
【要約】【目的】エッチング装置,CVD装置等の半導体製造装置のプロセス室内で発生した反応生成物が、搬送室内の搬送ロボット内部に付着,堆積してしまうのを防止する。【構成】プロセス室とロードロック室との間で基板の搬送を行う搬送室内に配置された基板搬送用ロボットのギア等の駆動部を含む筐体(アーム筐体)53に対し、少なくとも基板の搬送時には陽圧の導入ガスを供給することで駆動部を含むアーム筐体53の内部にはプロセス室内で発生した反応生成物が拡散,侵入しないようにする。
Claim (excerpt)：
少なくとも、搬送室を介してロードロック室とプロセス室との間で基板の搬送を行うとき、ロードロック室からプロセス室への基板の搬送を行う搬送室内に配置されたギア等の駆動部を含む搬送ロボットの筐体内部に対し、陽圧の導入ガスを供給ことを特徴とする、半導体の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C23C 16/54
