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J-GLOBAL ID：200903018521484685

半導体装置

Inventor： 大野 吉和
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993246912
Publication number (International publication number)：1995106431
Application date： Oct. 01, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 キャパシタの絶縁耐圧性を保つとともに、キャパシタを平坦化することによって信頼性を向上させる半導体装置を得る。【構成】 半導体基板14上に積層して構成されたキャパシタ38の下部電極28を区画するための分離領域27に埋込絶縁膜35を埋め込む。

Claim (excerpt)：

基板表面に設けられたトランジスタ、上記トランジスタの上面を覆って形成された層間絶縁膜、上記層間絶縁膜上に形成され側壁部を有する下部電極と上記層間絶縁膜上で上記側壁部に形成された埋込絶縁膜と上記下部電極上に形成された誘電体膜と上部電極とで成るキャパシタを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/04 C