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J-GLOBAL ID：200903018532370770

半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 岡川 広明 ,  只友 一行 ,  大内 洋一郎
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997013440
Publication number (International publication number)：1998200215
Application date： Jan. 08, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 発光特性や寿命特性に優れた半導体発光素子を提供すること。【解決手段】 複数積層された半導体層の一部を発光層とする半導体発光素子において、この積層半導体層における低転位領域を発光層として用いる。低転位領域を発光層として用いることで、結果として高品質な結晶の部分のみを発光層として用いることとなるので、発光特性や寿命特性を向上させることができる。低転位領域を発光層として用いる具体的手段として、発光層に多数の孔を形成させる方法があり、この孔は発光層における欠陥部に対応して設けられる。これにより発光層は欠陥の部分を除去した場所、つまり低転位領域のみとすることができる。

Claim (excerpt)：

複数積層された半導体層の一部を発光層とする半導体発光素子において、前記積層半導体層における低転位領域を発光層として用いてなる半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平4-127521
  
• 特開昭57-102081
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-125026   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所

Cited by examiner (3)

• 特開平4-127521
  
• 特開昭57-102081
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-125026   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所