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J-GLOBAL ID：200903018552379359

絶縁膜の形成方法

Inventor： 伊東 一幸 ,  谷 典明 ,  米崎 武 ,  石川 道夫 ,  中村 久三 ,  戸川 淳 ,  橋本 征典
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 北村 欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995082583
Publication number (International publication number)：1996279505
Application date： Apr. 07, 1995
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 投入電力を減少させて、高速で高品質の絶縁膜を形成する方法を提案する。【構成】 真空槽内に有機シラン系ガスと酸素、水、亜酸化窒素、アルゴン、窒素、ヘリウム、水素のうち少なくとも1種類との混合ガスを導入し、平行平板電極に放電を発生させるプラズマCVD法により、基板上に絶縁膜を形成する方法おいて、放電周波数として27.12MHzないし100MHzの高周波電力を用いて絶縁膜を形成する方法。【効果】 基板上に絶縁膜であるPoly-SiTFT用ゲートSiO2膜を有機シラン系ガスを用いて形成させる際、絶縁膜を高速で高品質で形成出来る。

Claim (excerpt)：

真空槽内に有機シラン系ガスと酸素、水、亜酸化窒素、アルゴン、窒素、ヘリウム、水素のうち少なくとも1種類との混合ガスを導入し、平行平板電極に放電を発生させるプラズマCVD法により、基板上に絶縁膜を形成する方法おいて、放電周波数として27.12MHzないし100MHzの高周波電力を用いることを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• プラズマCVD装置及び酸化膜の成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-306864   Applicant：日立電子エンジニアリング株式会社
• 絶縁膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-227602   Applicant：株式会社東芝