Pat

J-GLOBAL ID：200903018552531347

絶縁膜の成膜方法

Inventor： 室山 雅和
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994266787
Publication number (International publication number)：1996130245
Application date： Oct. 31, 1994
Publication date： May. 21, 1996
Summary：

【要約】【構成】 半導体基板1上に層間絶縁膜2、Al系配線3が形成されたウェハ上に、SH4 -NH3 混合ガス等の水を含まないガス系を用いたプラズマCVDにより、圧縮応力を有する第1の絶縁膜4を成膜した後、該第1の絶縁膜4上に、水およびTEOS等の有機シリコン化合物を含むガスと、N2 、NH3 、N2 H4 等の分子内に少なくともN原子を含むガスとの混合ガス系を用いたプラズマCVDによって第2の絶縁膜5を成膜して、積層層間絶縁膜6を形成する。【効果】 第2の絶縁膜5の引っ張り応力を第1の絶縁膜の圧縮応力で相殺できるため、積層層間絶縁膜6は優れたステップカバレージを維持しつつ、厚膜化してもクラックを生じないものとなる。このため、微細化・多層化した配線上を十分に平坦化でき、且つ十分な絶縁性を有するものとなり、半導体装置の信頼性および歩留まりを高めることも可能となる。

Claim (excerpt)：

基体上に圧縮応力を有する第1の絶縁膜を化学的気相成長法により成膜した後、水および有機シリコン化合物を含むガスと、分子内に少なくとも窒素原子を含むガスとの混合ガス系を用い、化学的気相成長法によって前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を成膜することを特徴とする絶縁膜の成膜方法。

IPC (6)：

H01L 21/768 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318