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J-GLOBAL ID：200903018555376911

シリコンウェ-ハを処理するための急速熱プロセス

Inventor： ヘルムート ホルスト テヴス ,  マーティン シュレムス ,  トーマス ゲルトナー
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999247605
Publication number (International publication number)：2000091259
Application date： Sep. 01, 1999
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】 シリコンウェーハ処理に用いられて所定厚みの熱酸化膜を生成させ、同時に無欠陥領域の深さおよび微小バルク欠陥密度(BMD)を調整するための急速熱プロセス(RTP)の開発を提供する。【解決手段】 シリコンウェーハを処理するための急速熱プロセスはウェーハを制御された温度および制御されたプレアニール時間、酸化雰囲気中に雰囲気圧で曝露することで所定の無欠陥領域深さに対応する所定の目標の熱酸化膜を得ることを特徴とするプレアニール/酸化複合ステップから構成される。

Claim (excerpt)：

所定厚みの熱酸化膜を生成させ、同時に無欠陥領域の深さおよび微小バルク欠陥密度(BMD)を調整するためにシリコンウェーハ処理に用いられる急速熱処理プロセス(RTP)に使用されるプレアニール/酸化複合ステップにおいて、ウェーハを制御された温度および制御されたプレアニール時間、酸化雰囲気中に雰囲気圧で曝露することで所定の無欠陥領域深さに対応する所定の目標の熱酸化膜を得ることを含むことを特徴とする、シリコンウェーハ処理に用いられる急速熱処理プロセス(RTP)に使用されるプレアニール/酸化複合ステップ。

IPC (2)：

H01L 21/26 ,  H01L 21/322

FI (2)：

H01L 21/26 F ,  H01L 21/322 Y